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基礎(chǔ)信息Product information
產(chǎn)品名稱:

半導體真空晶圓退火爐

產(chǎn)品型號:Huace-800G

廠商性質(zhì):生產(chǎn)廠家

所在地:北京市

更新日期:2026-04-02

產(chǎn)品簡介:

華測儀器Huace-800G半導體真空晶圓退火爐設(shè)備的反射鏡采用高準度曲率設(shè)計,通過五軸加工系統(tǒng)制造,以維持更高的反射效率。反射鏡主要分為圓形和拋物線型兩種,可滿足不同材料在不同溫度控制條件下的測試需求。

產(chǎn)品特性Product characteristics
品牌華測

華測儀器Huace-800G半導體真空晶圓退火爐

價格僅供參考,如需獲取更詳盡的產(chǎn)品技術(shù)規(guī)格書、定制方案或應用案例,歡迎致電我司技術(shù)工程師


Huace-800G半導體真空晶圓退火爐由華測儀器生產(chǎn),是在真空環(huán)境下,對半導體晶圓進行高溫熱處理的設(shè)備,主要用于消除應力、優(yōu)化材料結(jié)構(gòu)、增加電學性能。華測儀器經(jīng)過多年研發(fā),推出了采用高準度、高反射率拋物面搭配高性能加熱源的解決方案,在升降溫過程中仍能保持穩(wěn)定均勻的溫度場,可實現(xiàn)寬范圍均熱區(qū)、高速加熱與高速降溫。樣品由石英管保護,無氣氛污染,更適合半導體工藝使用。


產(chǎn)品參數(shù)

產(chǎn)品型號:Huace-800G/Huace-1200G/Huace-1450G

產(chǎn)品尺寸:6寸晶圓或150 x 150mm產(chǎn)品

溫度范圍:RT ~ 800/1200/1450°C

升溫速度:<100℃/s可編程(此溫度不含載盤的升溫速度)

      <25℃/s(SiC載盤)

溫度均勻度:±5 °C ≤ 500 ℃

±1 % > 500 ℃

溫度控制重復性:±1 °C

溫控方式:PID 溫控


應用領(lǐng)域

電子材料

半導體用硅化合化的PRA(加熱后急速降溫);

陶瓷與無機材料

陶瓷基板退火爐;

鋼鐵和金屬材料

爐焊接模擬;

其他

溫度梯度爐;


半導體真空晶圓退火爐


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